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    EL diodo FR107 es un dispositivo electrónico ampliamente utilizado en la electrónica de potencia, gracias a su alta corriente y bajo nivel de voltaje en estado de conducción y en sentido inverso. Soporta alto voltaje con una corriente muy pequeña de fugas. A diferencia de la serie 1N400X, presenta una rápida recuperación en polarización inversa, ideal...

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    Transistor BC558 pequeña señal para características de alto voltaje y bajo ruido. El transistor BC558 es de unión bipolar NPN usado principalmente para circuitos amplificadores de audio y circuitos de conmutación de baja velocidad. Encontrándose en etapas preamplificadoras, tonos, biomédica, entre otros.

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    El C106DG es un dispositivo PNPN diseñado para aplicaciones de consumo de alto volumen, tales como los sistemas de alerta de temperatura, luz y control de velocidad, proceso y control remoto y, donde la fiabilidad de funcionamiento es importante.

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    Transistor UJT 2N2646 de pequeña señal, con voltaje de emisor a base de 30 V,  diseñado para su uso en  circuitos de pulso, de sincronización y para circuitos de detección y de disparo así como para  tiristores.

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    Los diodos zener son diodos que están diseñados para mantener un voltaje constante en su terminales, llamado Voltaje o Tensión Zener cuando se polarizan inversamente, es decir cuando está el cátodo con una tensión positiva y el ánodo negativa. A diferencia de un diodo convencional que bloquea cualquier flujo de corriente a través de sí mismo cuando está...

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    El diodo Schottky SR5100  es un componente electrónico semiconductor que soporta una velocidad de conmutación mayor cuando entra en los niveles de conducción directa e inversa. La estructura interna es básicamente de una unión de metal y un material semiconductor. Su funcionamiento consiste en permitir o bloquear la circulación de la energía eléctrica,...

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    El diodo schottky 1N5819 es un componente electrónico semiconductor que soporta velocidades de conmutación mayores cuando entra en los niveles de conducción directa e inversa. La estructura interna es básicamente de una unión de metal y un material semiconductor. Su funcionamiento consiste en permitir o bloquear la circulación de la energía eléctrica,...

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    Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.El IRF540 es un mosfet de canal único N de 100v en un encapsulado TO-220 es un mosfet tiene una baja por el área de silicio, los MOSFET de potencia son muy conocidos por proporcionar una gran eficiencia y fiabilidad que se pueden utilizar en una...

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    El BTA41 800B es un TRIAC de 3 pines con aislamiento estándar para conmutación de CA de uso general y se puede utilizar como función ON / OFF. La serie BTA proporciona una lengüeta con aislamiento de voltaje usando una almohadilla de cerámica interna. Este triac se encuentra encapsulado en TOP-3 de montaje de orificio pasante Through Hole.

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    El 2SA1943O es un transistor de silicio epitaxial PNP con una excelente linealidad de ganancia para THD baja, alta capacidad de corriente y alta disipación de potencia.

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    El 2SC5200 de toshiba es un transistor de potencia epitaxial de silicio NPN de 230 V que ofrece una alta capacidad de corriente y una alta disipación de potencia.

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    EL 2N2907 es un transistor BJT PNP es comúnmente utilizado como amplificador y como interruptor, además de ser empleado en circuitos digitales y de bajo ruido, es uno de los transistores más populares del mercado por su bajo precio y por sus características de propósito general.

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    Los BC327 (NPN) es un transistores bipolar para usos generales de mediana potencia, tiene una capacidad de corriente de colector mucho mayor, hasta 800 mA, característica que les permite de ser usados en muchas aplicaciones de control de media potencia como por ejemplo drivers para pequeños motores, relés y también tiras de leds cortas. El transistor...

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    BC337 Transistor BJT NPN 45V - 870mA TO-92, semiconductor bipolar de juntura NPN. Su estructura es en metal con tres terminales. Este transistor es de baja potencia, capaz de disipar hasta 625mW, aun así, puede controlar dispositivos que consuman hasta 870mA o que requieran tensiones de hasta 45VDC, siempre y cuando no se exija el dispositivo hasta o...

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    El transistor MTP50N06 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los...

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    El IRFP260N de International Rectifier es un MOSFET de potencia HEXFET de canal N simple de 200V en encapsulado TO-247AC. Este MOSFET cuenta con una resistencia en estado de conducción extremadamente baja por área de silicio, valor dinámico dv/dt, facilidad de paralelismo, resistente, conmutación rápida, requisitos sencillos de conducción y calificación...

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    El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o Mosfet (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.  El IRF640N es un Mosfet de potencia que...

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    El Mosfet IRF3205 es un silicio de tres terminales. Dispositivos con capacidad de conducción actual de 110ª, velocidad de conmutación rápida, bajo estado encendido resistencia, clasificación de voltaje de ruptura de 55V, y Max. Tensión umbral de 4 voltiosLos transistores Mosfet son la mejor combinación de cambio rápido, resistente, bajo en resistencias y...

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    El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.El IRF840 es un MOSFET de potencia de...

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    El transistor Mosfet IRF530N de canal N ofrece la mejor combinación de conmutación rápida, el diseño de este dispositivos esta hecho para uso rudo, baja resistencia y tiene una buena relación costo-efectividad.

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    El Mosfet IRFZ44N es un transistor de tecnología MOS-FET (Metal–Oxide–Semiconductor – Field Effect Transistor) y de alta potencia que posee destacadas características que lo hacen ideal para aplicaciones de conmutación y en la modulación por ancho de pulso (PWM). Cuenta con una muy baja resistencia por unidad de superficie  y con un  rendimiento de...

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    Con estas resistencias de película de carbón podrás regular la potencia y limitar la cantidad de energía que pueda pasar en los circuitos electrónicos o en los pequeños motores, para que la corriente no dañe tus componentes eléctricos. Son muy fáciles de usar ya que no tienen polaridad y vienen en un formato de agujero pasante, el cual cuenta con 2 pines...

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