D00177
Nuevo producto
Este transistor es de baja potencia, capaz de disipar hasta 625mW, aun así, puede controlar dispositivos que consuman hasta 200mA o que requieran tensiones de hasta 40Vdc, siempre y cuando no se sobre pase su potencia de disipación máxima. Cuenta con una conmutación rápida, un tiempo de apagado corto y un bajo voltaje de saturación, lo que lo hace apto para conmutación y amplificación.
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10 | $ 0,83 | Hasta $ 3,60 |
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Especificaciones Técnicas:
Polaridad del transistor: NPN.
Voltaje Colector-Base (Vcbo): 60Vdc.
Voltaje Colector-Emisor (Vceo): 40Vdc.
Voltaje Emisor-Base (Vebo): 6Vdc.
Corriente máx colector (Ic): 200mA.
Potencia disipada (Ptot): 625mW.
Factor ampliación (hFE): 30 - 300.
Frecuencia máx de trabajo (fT): 300Mhz.
Temperatura de operación: -55ºC - 150°C.