Nuevo Transistor Mosfet Irf840 6a 500v Ver más grande

Transistor Mosfet Irf840 6a 500v

A00490

Nuevo producto

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.

El IRF840 es un MOSFET de potencia de N-canal de 500V, el MOSFET de potencia de tercera generación proporciona al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo robusto y baja resistencia.

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Valor dinámico dV / dt
Avalancha repetitiva
175 ° C Temperatura de funcionamiento
Fácil de paralelo
Requisito de unidad simple
Aplicaciones: Administración de potencia, industrial, dispositivos portátiles, electrónica de consumo

  • Polaridad del transistor: Canal N
  • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 500 V
  • Voltaje de puerta a fuente VGS: ±20 V
  • Corriente continua de drenaje ID: 8 A
  • Corriente de drenaje pulsada IDP: 32 A
  • Corriente de avalancha IAR: 8 A
  • Disipación de potencia máxima PD (Tc=25 °C): 125 W
  • Resistencia VGS RDS(on) máximo: 0.85 Ω
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 150 °C
  • Encapsulado: TO-220
  • Número: 3