Nuevo Transistor Mosfet Irf640n 11a200v Ver más grande

Transistor Mosfet Irf640n 11a200v

A00492

Nuevo producto

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o Mosfet (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. 

El IRF640N es un Mosfet de potencia que ofrece al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, el diseño del dispositivo es robusto y de baja resistencia.

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Más información

  • Polaridad: Canal N
  • Intensidad drenador continua Id: 18 A
  • Tensión drenaje-fuente Vds: 200 V
  • Resistencia de activación Rds(on): 150 mohm
  • Tensión Vgs de medición Rds(on): 10 V
  • Tensión umbral Vgs: 4 V
  • Disipación de potencia Pd: 150 W
  • Temperatura de trabajo máxima: 175°C
  • Encapsulado: TO-220
  • 3 pines