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Transistor IRFP260N Mosfet Potencia CH N 200 V 50 A
A00493
Nuevo producto
El IRFP260N de International Rectifier es un MOSFET de potencia HEXFET de canal N simple de 200V en encapsulado TO-247AC. Este MOSFET cuenta con una resistencia en estado de conducción extremadamente baja por área de silicio, valor dinámico dv/dt, facilidad de paralelismo, resistente, conmutación rápida, requisitos sencillos de conducción y calificación total para avalancha. Como resultado, estos MOSFET de potencia son conocidos por su eficiencia y confiabilidad extremas que los hacen aptos para su uso en una gran variedad de aplicaciones.
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Descuentos por volumen
| Cantidad | Precio | Usted ahorra |
|---|---|---|
| 2 | $ 35,81 | Hasta $ 7,96 |
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Más información
- Tecnología de proceso avanzada, clasificación dinámica dv / dt
- Temperatura de funcionamiento 175 °C
- Conmutación rápida
- Clasificación total para avalanchas
- Facilidad de conexión en paralelo
- Requisitos simples de accionamiento
- Aplicaciones: Administración de potencia, industrial, dispositivos portátiles, electrónica de consumo
Información Básica
- Polaridad del transistor: Canal N
- Voltaje de drenaje a fuente VDS: 200 V
- Voltaje de drenaje a puerta VDGR: 500 V
- Voltaje de puerta a fuente VGS: ±20 V
- Corriente continua de drenaje ID: 50 A
- Corriente de drenaje pulsada IDP: 200 A
- Corriente de avalancha IAR: 50 A
- Disipación de potencia máxima PD: 300 W
- Temperatura de operación mínima: -55 °C
- Temperatura de operación máxima: 175 °C
- Encapsulado: TO-247AC
- Número de pines: 3