Nuevo Transistor IRFP064N Mosfet Potencia CH N 55 V 110 A Ver más grande

Transistor IRFP064N Mosfet Potencia CH N 55 V 110 A

A00495

Nuevo producto

El transistor IRFP064N de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.
El IRFB260N es un MOSFET de potencia de N-canal HEXFET® de 200 V con una resistencia extremadamente baja por área de silicio y un rendimiento de conmutación rápido usando tecnología planar avanzada.

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2 $ 35,81 Hasta $ 7,96
5 $ 29,84 Hasta $ 49,74
10 $ 23,88 Hasta $ 159,17

Más información

  • Clasificación dv/dt dinámica
  • Ultra baja resistencia de encendido
  • Conmutación rápida
  • Tecnología de proceso avanzada
  • Carga de compuerta a drenaje baja para reducir pérdidas de conmutación
  • Capacidad completamente caracterizada incluyendo COSS efectivo para simplificar el diseño
  • Voltaje y corriente de avalancha completamente caracterizados
  • Aplicaciones: Conmutación, administración de potencia

Información Básica

  • Polaridad: Canal N
  • Tensión drenaje-fuente Vds: 55 V
  • Tensión Vgs de medición Rds(on): 10 V
  • Tensión umbral Vgs: 4 V
  • Intensidad drenador continua Id: 110 A
  • Disipación de potencia Pd: 150 W
  • Resistencia de activación Rds(on): 8 mohm
  • Temperatura de trabajo mínima: -55 °C
  • Temperatura de trabajo máxima: 175°C
  • Encapsulado TO-247AC
  • 3 pines