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El transistor Mosfet IRF530N de canal N ofrece la mejor combinación de conmutación rápida, el diseño de este dispositivos está hecho para uso rudo, baja resistencia y tiene una buena relación costo-efectividad.
Ficha Técnica:
Polaridad del transistor: NPN
Intensidad drenador continua Id: 14 A
Tensión drenaje-fuente Vds: 100 V
Resistencia de activación Rds(on): 110mohm
Tensión Vgs de medición Rds(on): 100 V
Tensión umbral Vgs: 2 V
Disipación de potencia Pd: 55 W
Temperatura de operación mínima: -55 °C
Temperatura de operación máxima: 150 °C
Encapsulado: TO-220
Número de pines: 3
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