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Transistor Mosfet Irf640n 11a200v
$10.79
IVA incluido
PRECIO DESDE $7.55
El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o Mosfet (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.
El IRF640N es un Mosfet de potencia que ofrece al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, el diseño del dispositivo es robusto y de baja resistencia.
Polaridad: Canal N
Intensidad drenador continua Id: 18 A
Tensión drenaje-fuente Vds: 200 V
Resistencia de activación Rds(on): 150 mohm
Tensión Vgs de medición Rds(on): 10 V
Tensión umbral Vgs: 4 V
Disipación de potencia Pd: 150 W
Temperatura de trabajo máxima: 175°C
Encapsulado: TO-220
A00492
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El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o Mosfet (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.
El IRF640N es un Mosfet de potencia que ofrece al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, el diseño del dispositivo es robusto y de baja resistencia.