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El Mosfet IRF3205 es un silicio de tres terminales. Dispositivos con capacidad de conducción actual de 110ª, velocidad de conmutación rápida, bajo estado encendido resistencia, clasificación de voltaje de ruptura de 55V, y Max. Tensión umbral de 4 voltios
Los transistores Mosfet son la mejor combinación de cambio rápido, resistente, bajo en resistencias y rentabilidad. La baja resistencia térmica y el bajo costo contribuyen a su amplia aceptación en toda la industria.
Se pueden operar directamente desde circuitos integrados.
ESPECIFICACIONES TÉCNICAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 150 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 55 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 10 V
Corriente continua de drenaje (Id): 98 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V
Carga de compuerta (Qg): 146 nC
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.008 Ohm
Encapsulado: TO-220