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Transistor IRFP260N Mosfet Potencia CH N 200 V 50 A
$39.79
IVA incluido
PRECIO DESDE $23.87
El IRFP260N de International Rectifier es un MOSFET de potencia HEXFET de canal N simple de 200V en encapsulado TO-247AC. Este MOSFET cuenta con una resistencia en estado de conducción extremadamente baja por área de silicio, valor dinámico dv/dt, facilidad de paralelismo, resistente, conmutación rápida, requisitos sencillos de conducción y calificación total para avalancha. Como resultado, estos MOSFET de potencia son conocidos por su eficiencia y confiabilidad extremas que los hacen aptos para su uso en una gran variedad de aplicaciones.
Tecnología de proceso avanzada, clasificación dinámica dv / dt
Temperatura de funcionamiento 175 °C
Conmutación rápida
Clasificación total para avalanchas
Facilidad de conexión en paralelo
Requisitos simples de accionamiento
Aplicaciones: Administración de potencia, industrial, dispositivos portátiles, electrónica de consumo
Información Básica
Polaridad del transistor: Canal N
Voltaje de drenaje a fuente VDS: 200 V
Voltaje de drenaje a puerta VDGR: 500 V
Voltaje de puerta a fuente VGS: ±20 V
Corriente continua de drenaje ID: 50 A
Corriente de drenaje pulsada IDP: 200 A
Corriente de avalancha IAR: 50 A
Disipación de potencia máxima PD: 300 W
Temperatura de operación mínima: -55 °C
Temperatura de operación máxima: 175 °C
Encapsulado: TO-247AC
Número de pines: 3
A00493
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El IRFP260N de International Rectifier es un MOSFET de potencia HEXFET de canal N simple de 200V en encapsulado TO-247AC. Este MOSFET cuenta con una resistencia en estado de conducción extremadamente baja por área de silicio, valor dinámico dv/dt, facilidad de paralelismo, resistente, conmutación rápida, requisitos sencillos de conducción y calificación total para avalancha. Como resultado, estos MOSFET de potencia son conocidos por su eficiencia y confiabilidad extremas que los hacen aptos para su uso en una gran variedad de aplicaciones.