Transistor Mosfet Mtp50n06 40a 60v

El MTP50N06 es un mosfet de modo  QFET® de canal N, de 60V. El MOSFET de potencia que se produce utilizando la tecnología patentada de banda ancha y DMOS de Fairchild. Esta avanzada tecnología ha sido diseñada especialmente para minimizar la resistencia en el estado, proporcionar un rendimiento de conmutación superior y soportar pulso de alta energía en el modo de avalancha y conmutación. Este dispositivo es adecuado para fuentes de alimentación de modo conmutado de alta eficiencia, corrección activa del factor de potencia y balasto electrónico de lámpara basado en la topología de medio puente. Este dispositivo es muy adecuado para aplicaciones de baja tensión como convertidores DC / DC, conmutación de alta eficiencia para productos portátiles y con pilas. Este producto es de uso general y adecuado para muchas aplicaciones diferentes.

Carga baja de la puerta

100% Avalancha probada

Capacidad mejorada de dv / dt

Mejoras en la pérdida de conmutación

Pérdida de conducción más baja

175 ° C Grado máximo de temperatura de unión

Aplicaciones: Administración de potencia, automoción, iluminación, convertidores DC-DC, fuente de alimentación de modo conmutado, dispositivos portátiles y uso general

Información Básica

Polaridad del transistor: Canal N

Voltaje de drenaje a fuente VDS: 60 V

Voltaje de puerta a fuente VGS: ±20 V

Corriente continua de drenaje ID: 42 A

Corriente de drenaje pulsada IDP: 147 A

Disipación de potencia máxima PD (Tc=25 °C): 160 W

Disipación de potencia Pd: 120 W

Resistencia de activación Rds(on): 22 mohm

Temperatura de operación mínima: -55 °C

Temperatura de operación máxima: 175 °C

Encapsulado: TO-220

Número de pines: 3