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Transistor IRFP064N Mosfet Potencia CH N 55 V 110 A
$39.79
IVA incluido
PRECIO DESDE $23.87
El transistor IRFP064N de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.
El IRFB260N es un MOSFET de potencia de N-canal HEXFET® de 200 V con una resistencia extremadamente baja por área de silicio y un rendimiento de conmutación rápido usando tecnología planar avanzada.
Clasificación dv/dt dinámica
Ultra baja resistencia de encendido
Conmutación rápida
Tecnología de proceso avanzada
Carga de compuerta a drenaje baja para reducir pérdidas de conmutación
Capacidad completamente caracterizada incluyendo COSS efectivo para simplificar el diseño
Voltaje y corriente de avalancha completamente caracterizados
Aplicaciones: Conmutación, administración de potencia
Información Básica
Polaridad: Canal N
Tensión drenaje-fuente Vds: 55 V
Tensión Vgs de medición Rds(on): 10 V
Tensión umbral Vgs: 4 V
Intensidad drenador continua Id: 110 A
Disipación de potencia Pd: 150 W
Resistencia de activación Rds(on): 8 mohm
Temperatura de trabajo mínima: -55 °C
Temperatura de trabajo máxima: 175°C
Encapsulado TO-247AC
3 pines
A00495
118 Artículos
El transistor IRFP064N de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.
El IRFB260N es un MOSFET de potencia de N-canal HEXFET® de 200 V con una resistencia extremadamente baja por área de silicio y un rendimiento de conmutación rápido usando tecnología planar avanzada.